# NTU新研究：超薄氮化镓里的“缺陷”，原来可能是宝藏？

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Published: 2026-08-06
Source: 狮城新闻

在电子材料领域，“缺陷”往往意味着性能下降甚至器件失效。但南洋理工大学的一项新研究发现，在超薄氮化镓中，某些经过设计的原子级缺陷，未必只是需要消除的问题，也可能成为调控材料性能的工具。

传统芯片制造，为何如此在意“缺陷”？ 芯片制造总让人联想到无尘服、超洁净厂房和一尘不染的生产线。这种印象并没有错。

在传统半导体制造过程中，非预期的杂质、晶格损伤和加工误差，可能造成漏电、信号失真、性能波动，甚至降低整批芯片的良率。因此，制造商通常会尽可能减少不受控制的缺陷。

不过，现代芯片并不是绝对追求“零杂质”。事实上，半导体行业也会通过精确掺杂，在材料中主动加入特定原子，以改变其导电性能。

如今，研究人员正在把这种思路向前推进一步：除了掺入新的原子，材料中“缺少一个原子”所形成的空位，也可能被有目的地利用。

反其道而行：当“缺陷”成为一种可控资源 这项研究聚焦的是一种名为氮化镓的半导体材料。

氮化镓已经被应用于高功率电子器件、射频设备和发光器件等领域。而当氮化镓被制成只有一个或少数原子层厚度的超薄材料后，它的电子结构会变得更加容易受到外部环境和微观缺陷的影响。

南洋理工大学机械与航空航天工程学院的研究人员，利用第一性原理计算，模拟了超薄氮化镓中不同原子空位的作用。 

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*Tian Yujia 博士在2023年自然大会上展示了她的研究成果：功能性二维材料* 研究主要考察了两类缺陷：一种是材料中少了一个镓原子，另一种是少了一个氮原子。这些缺失原子所形成的“空位”，可能改变材料的电子结构、磁性，以及对气体分子的吸附能力。

研究人员还进一步分析了这些缺陷在外加电场和材料应变作用下的表现。

结果显示，在特定条件下，部分空位缺陷可能提高超薄氮化镓在强电场环境中的电子稳定性。材料受到拉伸或压缩时，其电子状态发生转变所需要的电场强度也可能随之改变。

换句话说，研究人员不再只是问“怎样消除缺陷”，而是开始探索： 能不能通过选择缺陷的类型，并结合电场和应变，定向调节材料的性能？

从“消灭缺陷”到“制造缺陷” 这类研究通常被称为“缺陷工程”，核心并不是让材料随机产生损伤，而是在明确缺陷类型与作用机制的基础上，有目的地引入和调控原子级缺陷。

在这项针对超薄氮化镓的研究中，科学家关注的是镓空位和氮空位等“缺失原子”形成的结构变化。这些缺陷并非简单的破坏，而可能改变材料的电子行为、磁性以及与外界环境的相互作用。

研究还指出，通过外加电场和材料应变的配合，不同缺陷会呈现出不同的物理响应。这意味着材料性能不再完全由“完美晶体结构”决定，而是可以通过缺陷类型进行一定程度的调控。

不过，这一过程目前仍主要基于理论计算与模拟分析，并不代表已经实现对材料的“随意编程”，更多是为后续实验和器件设计提供方向。

从“消除缺陷”到“理解缺陷”，再到尝试“利用缺陷”，这一思路正在改变人们对材料完美性的传统认知。 

📌 要点总结

✦**研究对象** 

这项研究聚焦超薄氮化镓，而不是泛指石墨烯或其他二维材料。 

✦**核心发现** 

镓空位和氮空位等原子级缺陷，可能调控材料的电子、磁性与气体吸附性质；在电场与应变作用下，部分缺陷甚至可能提升材料的稳定性。 

✦**研究意义与阶段** 

研究提出“智造缺陷”的思路，即通过控制缺陷类型来调节材料性能，但目前仍基于理论计算，需进一步实验验证。 

当“不完美”成为新机遇，未来科技正在被重新定义。