新加坡首个国家氮化镓半导体转化与创新中心（NSTIC (GaN)）于6月26日正式启用，将助力本地开发更小、更快、更节能的电子技术，抢占5G/6G、雷达与卫星通信等全球市场机遇。
该中心由南洋理工大学与A*STAR、DSO联合共建，NTU教授出任执行主任，充分发挥科研优势，推动氮化镓技术从实验室走向产业，巩固新加坡在先进半导体领域的地位。
国家氮化镓创新中心正式启用
6月26日，新加坡国家氮化镓半导体转化与创新中心（National Semiconductor Translation and Innovation Centre for Gallium Nitride，简称 NSTIC (GaN)）正式启用，由主管能源及科技的Tan See Leng部长主持开幕。
新加坡贸工部主管能源及科技的部长Tan See Leng（中），与NSTIC（GaN）执行主任、南洋理工大学Ng Geok Ing教授（最左），以及南洋理工大学工业合作副校长 Lam Khin Yong教授（最右）合影。
来源：ntu
这是新加坡首个专注氮化镓（GaN）半导体技术的国家级中心，将推动更小、更快、更节能的电子产品研发，助力本地企业在5G/6G、雷达及卫星通信等高增长全球市场中抢占先机。
三方携手，共建前沿平台
该中心前身是2023年成立的国家氮化镓技术中心（NGTC），由新加坡科技研究局（A*STAR）、DSO 国家实验室以及南洋理工大学（NTU）联合建立。
NSTIC (GaN) 配备最先进的晶圆制造和原型测试设施，将缓解本地产业面临的“缺乏制造产线”痛点，并加强学研企的深度协作。
开幕仪式上，A*STAR、DSO 和 NTU 多位领导嘉宾到场祝贺，包括NTU工业合作副校长Lam Khin Yong。
氮化镓：改变未来电子的关键材料
氮化镓（GaN）被视为下一代高性能电子器件的核心驱动力。
与传统硅相比，GaN能在更高电压和更高频率下运行，损耗更低，使电子元件体积更小、速度更快、能效更高。
内含氮化镓（GaN）的电子元件 来源：google
如今，GaN 技术已广泛应用于：
手机快充适配器
LED 驱动
笔记本电源
其优异的电热性能使设备更小巧更高效。
在电动汽车快速充电领域，GaN 也因其高功率效率，正迅速成为热门选择。
NTU教授领衔，加速半导体创新
NSTIC (GaN) 由南洋理工大学电气与电子工程学院的Ng Geok Ing教授出任执行主任，同时他也在 A*STAR 微电子研究所担任联合职务。
未来，中心将通过整合科研、原型验证与产业合作，推动氮化镓技术快速商业化，进一步巩固新加坡在先进半导体领域的全球地位。
