一項來自南洋理工大學（NTU）的下一代存儲技術，正在從實驗室里的設計一步步走向真實晶片。
近日，澳大利亞科技公司 dorsaVi（ASX:DVL）的 RRAM-CMOS 驗證晶片正式進入晶圓製造階段。與此前完成「流片」（tape-out）相比，這意味著晶片不再只是停留在設計圖和製造數據中，而是真正進入晶圓廠開始生產。
更值得關注的是，這並不是 dorsaVi 單獨推進的項目。其更長遠的目標，是與南洋理工大學（NTU）和台灣工業技術研究院（ITRI）合作，將電阻式隨機存取存儲器（RRAM）進一步推進至 22 納米節點。而 NTU 官方也明確表示，這項合作建立在 NTU 開發的 RRAM 智慧財產權基礎之上。
從設計圖到真實晶圓
對一款新晶片來說，從「設計完成」到「真正開始製造」，中間還有一道重要門檻。
此前，dorsaVi 已經完成 RRAM-CMOS 驗證晶片的流片（tape-out）。簡單來說，流片意味著晶片設計基本完成，並把製造所需的數據交給晶圓廠。
而這一次，項目又向前邁了一步：晶圓廠已經完成製造數據審核，晶片正式進入晶圓製造流程。
不過，現在還不是「RRAM晶片已經成功做出來」。
目前進行的是 180 納米工藝的驗證晶片製造，晶圓廠首先生產的是晶片底部的 CMOS 基礎結構，也就是負責計算和控制的電晶體層。之後，合作團隊還需要在上面加入 RRAM 存儲層，再進行後續集成與測試。
之所以先從相對成熟的 180 納米工藝開始，是為了用成本更低、容錯空間更大的方式驗證設計和製造流程，為下一階段向 22 納米節點推進積累真實的晶片數據。
換句話說，這次製造更像一次重要的「實戰考試」：技術已經離開圖紙，但距離最終產品仍有一段路要走。
NTU：不只是參與者，更是技術來源
南洋理工大學物理與數學科學學院（SPMS）已經確認，學院正與澳大利亞 dorsaVi 以及台灣工業技術研究院（ITRI）合作開展 RRAM 研究項目，目標是將相關技術推進至 22 納米節點。
更關鍵的是，這項合作建立在 NTU研發的RRAM智慧財產權基礎之上。
RRAM，全稱 Resistive Random-Access Memory，即電阻式隨機存取存儲器。與傳統存儲方式不同，它通過材料電阻狀態的變化來保存信息，並具有非易失性，也就是說，即使斷電，數據仍可以被保存。
NTU與合作夥伴正在研究的方向不僅包括低功耗存儲，還涉及多級存儲單元、存內計算（compute-in-memory）以及神經形態計算等技術，希望未來能夠應用於機器人、邊緣人工智慧等對速度、功耗和實時響應要求較高的場景。
此次 180 納米驗證晶片進入製造，也因此可以看作整個 22 納米研發路線中的一個前期驗證節點。
如果這一步能夠順利獲得可靠的製造和測試數據，團隊就能進一步判斷哪些設計可以繼續縮小到更先進的工藝節點，而不是直接在成本更高的 22 納米平台上「摸著石頭過河」。
真正的考驗，還在晶圓之後
雖然晶片已經進入晶圓廠，但現在還不能宣布技術已經成功商業化。
接下來，完成 CMOS 製造的晶圓還需要進入後續工藝，由合作團隊加入 RRAM 存儲結構，並最終進行晶圓級電氣測試。
這一步才是真正決定技術能否繼續向前的關鍵。
研究團隊需要確認真實晶片上的 RRAM 存儲單元、外圍電路以及存內計算等功能，是否能夠達到設計階段設定的性能目標。只有晶圓上的實際測試結果符合預期，後續向 22 納米節點推進以及進一步探索產業應用才有更堅實的基礎。
而 RRAM 真正受到關注的原因，也不僅僅是「做一種新的內存」。
隨著人工智慧逐漸進入機器人、可穿戴設備、工業傳感器和各種邊緣設備，晶片不僅要存儲數據，還需要以儘可能低的功耗快速處理數據。如果存儲與計算能夠更加緊密地結合，就有機會減少數據在不同晶片模塊之間反覆搬運所產生的時間和能源消耗。
這也是包括 NTU 在內的研究團隊持續推進 RRAM、存內計算和神經形態計算的重要原因。
因此，這次晶圓製造的意義並不是「下一代內存已經量產」，而是一個更實際的信號：一項建立在NTU研發成果之上的RRAM技術，正在從實驗室智慧財產權和晶片設計，進入真正的半導體製造驗證階段。
距離最終商業化還有不少技術關卡，但下一代存儲技術的藍圖，已經開始變成真實的矽片。
📌 要點總結✦dorsaVi 的 RRAM-CMOS 驗證晶片已正式進入晶圓製造階段，目前採用 180 納米工藝進行前期驗證，為後續向 22 納米節點推進積累實際製造數據。✦該項目與 NTU 有直接關係：南洋理工大學物理與數學科學學院正與 dorsaVi、台灣工業技術研究院合作推進 22 納米 RRAM，相關合作建立在 NTU 開發的 RRAM 智慧財產權基礎之上。 ✦目前仍處於製造和驗證階段，並不代表 RRAM 已經實現商業量產。後續 RRAM 層集成和晶圓級電氣測試，將是判斷技術能否繼續走向先進節點和實際應用的重要關卡。
