政府將投資8億元 設立半導體業科研創新旗艦項目

2026/03/03   •   1710閱
新加坡政府宣布投入高達8億元設立半導體RIE旗艦項目,聚焦先進封裝與先進光子學等前沿技術,同步撥款6000萬元打造半導體技術轉化創新中心,加速電力電子與碳化矽技術突破,推動晶片性能提升與能耗降低,培育本地高端製造生態,吸引超300億產業投資,創造高價值就業機會,奠定新加坡在全球半導體產業鏈中的核心地位。
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示意圖。(圖:iStock)

政府將進一步投資8億元,設立半導體業的科研、創新和企業(RIE)旗艦項目,把重點放在高影響力技術領域,如先進封裝(Advanced Packaging)、先進光子學(Advanced Photonics)等能提升晶片性能且降低能耗的領域。、

政府也將投入6000萬元建設新加坡半導體技術轉化創新中心(National Semiconductor Translation and Innovation Centre,簡稱 NSTIC)(電力電子),以增強我國在下一代電力電子領域的競爭力。

主管能源與科技事務的人力部長陳詩龍醫生今天(2日)在國會撥款委員會辯論貿工部開支預算時說,半導體業是我國經濟增長的關鍵行業之一。通過以往對科研、創新和企業的投資,政府建立了強大的科研能力,並在過去四年吸引超過300億元來自半導體公司的投資。

新設立的半導體RIE旗艦項目,將把研究成果轉化為產品,並鼓勵開展更多先進的研發和製造活動,在本地創造優質的就業機會。

部長表示,新RIE旗艦項目也將整合新加坡半導體技術轉化創新中心的各項工作。

陳詩龍說:「自研究、創新與企業2025計劃(RIE2025)啟動以來,新加坡半導體技術轉化創新中心(先進光子學)已取得多項突破,包括高速數據傳輸和超透鏡製造。中心至今在業內吸引超過十家合作夥伴,建立了強大的商業化渠道。」

他提到,副總理兼貿工部長顏金勇去年宣布了對半導體技術轉化創新中心的半導體研發製造設施的投資。新設施預計在最遲2027年底開始運作,已經有多家企業對新設施展現濃厚興趣。

陳詩龍說,政府也將投資6000萬元,用於新加坡半導體技術轉化創新中心(電力電子)。中心計劃在一年內將碳化矽(silicon carbide)技術的載流子遷移率提高一倍,從而有望開發出更小型、更高效的電力系統。這項技術可應用於包括延長電動車續航里程在內的多個場景。

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