政府将投资8亿元 设立半导体业科研创新旗舰项目

2026/03/03   •   1710阅
新加坡政府宣布投入高达8亿元设立半导体RIE旗舰项目,聚焦先进封装与先进光子学等前沿技术,同步拨款6000万元打造半导体技术转化创新中心,加速电力电子与碳化硅技术突破,推动芯片性能提升与能耗降低,培育本地高端制造生态,吸引超300亿产业投资,创造高价值就业机会,奠定新加坡在全球半导体产业链中的核心地位。
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示意图。(图:iStock)

政府将进一步投资8亿元,设立半导体业的科研、创新和企业(RIE)旗舰项目,把重点放在高影响力技术领域,如先进封装(Advanced Packaging)、先进光子学(Advanced Photonics)等能提升芯片性能且降低能耗的领域。、

政府也将投入6000万元建设新加坡半导体技术转化创新中心(National Semiconductor Translation and Innovation Centre,简称 NSTIC)(电力电子),以增强我国在下一代电力电子领域的竞争力。

主管能源与科技事务的人力部长陈诗龙医生今天(2日)在国会拨款委员会辩论贸工部开支预算时说,半导体业是我国经济增长的关键行业之一。通过以往对科研、创新和企业的投资,政府建立了强大的科研能力,并在过去四年吸引超过300亿元来自半导体公司的投资。

新设立的半导体RIE旗舰项目,将把研究成果转化为产品,并鼓励开展更多先进的研发和制造活动,在本地创造优质的就业机会。

部长表示,新RIE旗舰项目也将整合新加坡半导体技术转化创新中心的各项工作。

陈诗龙说:“自研究、创新与企业2025计划(RIE2025)启动以来,新加坡半导体技术转化创新中心(先进光子学)已取得多项突破,包括高速数据传输和超透镜制造。中心至今在业内吸引超过十家合作伙伴,建立了强大的商业化渠道。”

他提到,副总理兼贸工部长颜金勇去年宣布了对半导体技术转化创新中心的半导体研发制造设施的投资。新设施预计在最迟2027年底开始运作,已经有多家企业对新设施展现浓厚兴趣。

陈诗龙说,政府也将投资6000万元,用于新加坡半导体技术转化创新中心(电力电子)。中心计划在一年内将碳化硅(silicon carbide)技术的载流子迁移率提高一倍,从而有望开发出更小型、更高效的电力系统。这项技术可应用于包括延长电动车续航里程在内的多个场景。

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